고온 환경에서 작동하는 액추에이터의 정밀제어를 위한 위치감지센서는 항공우주분야에서 개발이 반드시 필요한 센서 중 하나이다. 하지만 종래의 위치감지센서는 고온 환경에서 저항 소자 및 전극부가 고온 공기에 의해 산화되고, 기판 등 구조물의 강도가 저하되어 사용하는데 한계가 있다. 본 연구에서는 고온 환경에서 작동할 수 있는 이산형 위치감지센서를 개발하고 그 성능을 실온과 고온에서 평가하였다. 본 연구에서 제안한 고온용 위치감지센서는 MoSi2로 만들어진 저항체와 고온에서 매우 안정된 전기적 특성을 나타내는 TiN/Ti/Pt 다층 금속부가 MEMS 기술을 통해 Si 기판 위에 형성된 형태를 가진다. 특히 고온에서 저항체의 산화를 막기 위해 MoSi2 저항체 위에 SiO2 보호막을 증착하였다. 본 연구에서 개발한 고온 위치감지센서의 성능을 평가하기 위해 상온 및 고온에서 선형성, 히스테리시스, 분해능 및 repeatability를 측정하였다.